職責(zé)描述：1.負(fù)責(zé)SIMS機(jī)臺(tái)的導(dǎo)入、數(shù)據(jù)分析、優(yōu)化開發(fā)及日常管理；2.負(fù)責(zé)表面及成份表征的調(diào)研、導(dǎo)入及數(shù)據(jù)的綜合分析；3.獨(dú)立開展表面及成份表征的項(xiàng)目，圍繞SIMS開展為主；4.負(fù)責(zé)部分?jǐn)?shù)據(jù)自動(dòng)化及腳本的開發(fā)導(dǎo)入；5.對負(fù)責(zé)的機(jī)臺(tái)或者測試模塊開展培訓(xùn)工作；6.跨部門協(xié)作；7.專利的提案和撰寫；8.上級安排的其他工作。具體要求：1、碩士及以上學(xué)歷，材料、物理、化學(xué)光電子、微電子相關(guān)專業(yè)，應(yīng)屆或1年以上工作經(jīng)驗(yàn)2、有半導(dǎo)體材料檢測經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先3、良好的團(tuán)隊(duì)協(xié)作能力，積極主動(dòng)，擅于學(xué)習(xí)，富有團(tuán)隊(duì)精神薪酬福利：1、具有行業(yè)競爭力的薪資福利；2、多元化假期；3、六險(xiǎn)一金；4、團(tuán)體旅游/拓展、年度體檢；5、團(tuán)體活動(dòng)俱樂部、定期培訓(xùn)；6、三節(jié)福利禮金。

晶湛半導(dǎo)體由業(yè)界公認(rèn)的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術(shù)的開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦，坐落于蘇州市工業(yè)園區(qū)，擁有國際先進(jìn)的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國際上可供應(yīng)300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的先鋒廠商，技術(shù)實(shí)力處于國際領(lǐng)軍地位。在公司發(fā)展過程中，晶湛在業(yè)內(nèi)創(chuàng)造過多項(xiàng)創(chuàng)舉。2014年底，晶湛半導(dǎo)體率先在全球發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品，經(jīng)有關(guān)下游客戶驗(yàn)證，該材料具備全球領(lǐng)先的技術(shù)指標(biāo)和卓越的性能，實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的重要升級。2021年9月，晶湛半導(dǎo)體成功發(fā)布12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了國內(nèi)外廣泛關(guān)注。經(jīng)過多年的專注發(fā)展，晶湛半導(dǎo)體已經(jīng)成為國內(nèi)GaN材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的領(lǐng)軍企業(yè)，通過與全球數(shù)百家知名半導(dǎo)體科技企業(yè)、高校科研院所客戶建立廣泛深入的合作，多次在行業(yè)頂級期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及國際頂級會(huì)議IEDM等發(fā)布相關(guān)創(chuàng)新成果，引起國際半導(dǎo)體界的廣泛關(guān)注和一致好評。晶湛半導(dǎo)體高度重視自主研發(fā)和核心知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作，在氮化鎵外延領(lǐng)域已掌握多項(xiàng)核心技術(shù), 擁有獨(dú)立的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，晶湛半導(dǎo)體目前已在國內(nèi)外累計(jì)申請超900項(xiàng)專利，其中已獲得超200項(xiàng)專利授權(quán)。公司還先后榮獲蘇州市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)、蘇州工業(yè)園區(qū)專利授權(quán)十佳企業(yè)、蘇州工業(yè)園區(qū)知識(shí)產(chǎn)權(quán)高質(zhì)量創(chuàng)造獎(jiǎng)、江蘇省百件優(yōu)質(zhì)發(fā)明專利、江蘇省高質(zhì)量發(fā)明專利、蘇州市優(yōu)秀專利獎(jiǎng)、國家高新技術(shù)企業(yè)、蘇州市獨(dú)角獸培育企業(yè)、蘇州市企業(yè)工程技術(shù)研究中心等一系列資質(zhì)和榮譽(yù)。蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司將一直秉承著“成為世界領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料供應(yīng)商”的愿景，為客戶創(chuàng)造價(jià)值。